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Chevtchenko及其在柏林的Ferdinand-Braun-Institut研究所的同事就GaN缓冲器的厚度对AlGaN/GaN HFETs性能的影响进行了研究。缓冲器厚度降低时会随之出现关态击穿电压，这是因为更薄的GaN层表面上的更高的错位密度会减少缓冲器的渗漏。这篇文章最后介绍了两种可能控制缓冲器错位密度的机制，从而制备出更薄的HFER，而且不会损害其性能。 S. Chevtchenko et al., Phys. Status Solidi A DOI: 10.1002/pssa.200925599 HFET, defects, breakdown voltage Marabelli及其同事最近对2D平面周期结构内的等离子共振进行了详细研究。他们通过金/高分子材料表面上的胶体微影术制成了2D平面周期结构。他们在样品两侧的等离子激元模之间发现了强烈的相互作用，这使得他们利用对立边射出的光束测量出了一个样品界面上的折射指数的变化。这一有趣的发现，加上方便使用，低廉的沉淀过程，使得这种类型的纳米结构非常适合应用于生物传感技术。 S. Giudicatti et al., Phys. Status Solidi A DOI: 10.1002/pssa.200925579 ((franco.marabelli@unipv.it)) F. Marabelli 氧化钴 (Co3O4) 纳米线具有非常棒的性能，所以它在电池的阳极、催化剂和传感器中都大有用途。越来越多的Co3O4运用都要求在装置或系统中的某个特定区域内拥有具有定向特性的纳米线，但Co3O4是一种反铁磁体材料，只显示出0度（或极小的）净磁场。阿克来什·库马尔·斯里瓦斯塔瓦博士等人在最近的著作中阐述了一种全新的方法，可以在目标区域内通过转换钴 (Co) 纳米碗的方式合成Co3O4纳米线，众所周知，这样一来我们就可以在外部磁场中显示出极高的磁化强度，并且可以利用简单的热处理工艺在目标区域内合成Co3O4纳米线。 A. K. Srivastava et al., Phys. Status Solidi A ; DOI: 10.1002/pssa.200925503  一月 21, 2010 | 标签:Phys. Status Solidi A, 氧化钴 (Co3O4) 纳米线, 钴纳米碗 |  发表评论 |  Email给好友 |    (2 人已评, 平均分: 3.50 / 5) |
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