核酸的序列定向杂交为纳米结构材料自上而下的组装提供了精确的控制。但是DNA 和RNA 不是坚固耐用的材料，在酵素出现的情况下它还会降解。墨尔本大学的研究人员在弗兰克·卡鲁索教授的带领下通报了一项全新的方法—使用坚固耐用的合成DNA类似物制备多层薄膜。他们采用肽核酸（PNA）形成薄膜，这种薄膜可以通过蛋白酶和核酸酶抵抗降解，同时保持序列定向组装的优势。核心溶解之后，胶状的薄膜仍然保持独立性和稳定性，形成了中空的PNA微囊剂。这种薄膜和胶囊也许可以用于组织工程和药物输送领域。
A. L. Becker et al., Macromol. Biosci. ; DOI: 10.1002/mabi.200900347
二月 16, 2010 | 
Chevtchenko及其在柏林的Ferdinand-Braun-Institut研究所的同事就GaN缓冲器的厚度对AlGaN/GaN HFETs性能的影响进行了研究。缓冲器厚度降低时会随之出现关态击穿电压，这是因为更薄的GaN层表面上的更高的错位密度会减少缓冲器的渗漏。这篇文章最后介绍了两种可能控制缓冲器错位密度的机制，从而制备出更薄的HFER，而且不会损害其性能。
Marabelli及其同事最近对2D平面周期结构内的等离子共振进行了详细研究。他们通过金/高分子材料表面上的胶体微影术制成了2D平面周期结构。他们在样品两侧的等离子激元模之间发现了强烈的相互作用，这使得他们利用对立边射出的光束测量出了一个样品界面上的折射指数的变化。这一有趣的发现，加上方便使用，低廉的沉淀过程，使得这种类型的纳米结构非常适合应用于生物传感技术。
据预测，利用电子自旋的技术，即“自旋电子”在概念上可以制造出新的装置，从而有助于实现计算子性能的摩尔定律，即使现在比特尺寸可以被缩小成成千上万的纳米，热聚集的问题也引起了越来越多的关注。但是自旋库仑拖拽能够成为带电载体产生的自旋电流的固有耗散源。这来自于以不同速度相反自旋运动的载体之间的库仑散射，其在三维、二维和一维系统内扮演着重要角色。自旋库仑拖拽对于自旋电子具有不同的实际意义，在半导体自旋喷射和漂移扩散以及自旋电路的电力损失方面具有重要作用。自旋库仑拖拽还可以影响自旋光学励磁，并有助于自旋等离振子的线宽。D’Amico和Ullrich的新工作为这一课题提供了一个全面的见解，使得更多人可以解决这一问题。
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